雖然高密度 DNA 晶片（microarray，或稱微陣列）已有三十多年的發展歷史。然而，至今等效 RNA晶片的開發有很長一段時間被局限於預先合成的 RNA 鏈的定位，已被證明是難以處理的。主要原因在於RNA 的核糖的 2′-羥基（hydroxy）上需要額外的保護基團，使得 RNA 合成仍然更加困難和緩慢。
11 月 6 日，維也納大學化學系和麥吉爾大學無機化學系的研究團隊，突破原本的技術限制，開發出一種新的合成方法，透過半導體製造的光刻製造技術（photolithographic fabrication technology）和新保護基團，使 RNA 化學合成的效率比以前高出一百萬倍，已能夠將 RNA 合成向前推進一大步。
首先，該研究團隊使用半導體晶片工業的光刻製造技術（通常用於集成電路製造）進行 RNA 的化學合成，且可生產密度高達 1000000 序列/mm2 的 RNA 晶片。過程中，他們使用 UV-A 光，而非使用遠紫外線，生產用於矽蝕刻（silicon etching）和摻雜的電腦晶片。該研究團隊的 Mark Somoza 博士對此解釋：「對 RNA 來說 ，短波紫外線對 RNA 具有非常強大的破壞力，因此我們在合成中僅限於 UV-A 光。」
此外，他們以縮醛乙醯丙酸酯（acetal levulinyl ester, ALE）作為 RNA 2′-羥基的新保護基團，該基團與光刻合成相容，其在 RNA 鏈延伸中新增的RNA單體之間的偶聯反應中也提供非常高的產率（超過 99％）。
該研究團隊的博士後研究員 Jory Liétard 表示，該二技術結合高合成產率和易處理性的優點，使得未來可望在晶片上將製備更長且更有功能的RNA分子。
延伸閱讀：兵貴神速！ 基因合成可望一天內完成參考資料：
1. Angewandte Chemie International Edition, 2018; 57 (46): 15257 DOI: 10.1002/anie.201806895
2. https://medienportal.univie.ac.at/presse/aktuelle-pressemeldungen/detailansicht/artikel/rna-microchips/
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