虽然高密度 DNA 芯片（microarray，或称微阵列）已有三十多年的发展历史。然而，至今等效 RNA芯片的开发有很长一段时间被局限于预先合成的 RNA 链的定位，已被证明是难以处理的。主要原因在于RNA 的核糖的 2′-羟基（hydroxy）上需要额外的保护基团，使得 RNA 合成仍然更加困难和缓慢。
11 月 6 日，维也纳大学化学系和麦吉尔大学无机化学系的研究团队，突破原本的技术限制，开发出一种新的合成方法，透过半导体制造的光刻制造技术（photolithographic fabrication technology）和新保护基团，使 RNA 化学合成的效率比以前高出一百万倍，已能够将 RNA 合成向前推进一大步。
首先，该研究团队使用半导体芯片工业的光刻制造技术（通常用于集成电路制造）进行 RNA 的化学合成，且可生产密度高达 1000000 序列/mm2 的 RNA 芯片。过程中，他们使用 UV-A 光，而非使用远紫外线，生产用于硅蚀刻（silicon etching）和掺杂的电脑芯片。该研究团队的 Mark Somoza 博士对此解释：“对 RNA 来说 ，短波紫外线对 RNA 具有非常强大的破坏力，因此我们在合成中仅限于 UV-A 光。”
此外，他们以缩醛乙酰丙酸酯（acetal levulinyl ester, ALE）作为 RNA 2′-羟基的新保护基团，该基团与光刻合成相容，其在 RNA 链延伸中新增的RNA单体之间的偶联反应中也提供非常高的产率（超过 99％）。
该研究团队的博士后研究员 Jory Liétard 表示，该二技术结合高合成产率和易处理性的优点，使得未来可望在芯片上将制备更长且更有功能的RNA分子。
延伸阅读：兵贵神速！ 基因合成可望一天内完成参考资料：
1. Angewandte Chemie International Edition, 2018; 57 (46): 15257 DOI: 10.1002/anie.201806895
2. https://medienportal.univie.ac.at/presse/aktuelle-pressemeldungen/detailansicht/artikel/rna-microchips/
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